電容可用來(lái)減少紋波并吸收開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器產(chǎn)生的噪聲，它還可以用于后級(jí)穩(wěn)壓，提高設(shè)備的穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)能力。電源輸出中不應(yīng)出現(xiàn)任何紋波噪聲或殘留抖動(dòng)。這些電路常采用鉭電容來(lái)降低紋波，但
鉭電容有可能受到開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的噪聲影響而產(chǎn)生不安全的瞬變現(xiàn)象。
高壓電源總線系統(tǒng)一般很難達(dá)到額定電壓降低50%的指標(biāo)。這種情況限制了鉭電容用于電壓導(dǎo)軌大于28V的應(yīng)用。目前，由于鉭電容需要被降額使用，高壓濾波應(yīng)用唯一可行的辦法是采用體積較大且?guī)б�的電解電容，而不是鉭電容。
新型鉭電容
為解決降低額定電壓的問(wèn)題，Vishay研發(fā)部門(mén)開(kāi)發(fā)出了具有更高額定電壓等級(jí)的新系列SMD固體鉭電容器，額定電壓高達(dá)75WVDC.50V額定電壓電容在28V以及更高電壓導(dǎo)軌中的應(yīng)用引起了設(shè)計(jì)人員的擔(dān)心，而采用Vishay新型的63V和75V鉭電容，可達(dá)到額定電壓降低50%的行業(yè)認(rèn)可安全指標(biāo)。電介質(zhì)成形更薄、更一致，使SMD固體鉭電容的額定電壓能夠達(dá)到75V，從而實(shí)現(xiàn)了提高額定電壓的技術(shù)突破。成形工藝中對(duì)多道工序進(jìn)行了改進(jìn)：降低了成形加工過(guò)程中產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力集中，降低了電容成形過(guò)程中電解液的局部過(guò)熱，提高了電介質(zhì)成形過(guò)程中電解液濃度和純度的一致性。新型電容T97系列的額定電壓達(dá)75V，83系列達(dá)63V。
在一些電壓較高的感應(yīng)充電器應(yīng)用中，需要采用高壓穩(wěn)定的電容作為諧振電容。由于感應(yīng)充電器的初級(jí)線圈需要采用交流電壓驅(qū)動(dòng)，因此必須對(duì)電容進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。感應(yīng)充電器需要具備高擊穿電壓（VBD）性能，同時(shí)，某些應(yīng)用中還需要防護(hù)高壓電弧放電。為避免電弧放電，電路板一般敷有保護(hù)涂層，或者通過(guò)合理安排元器件布局達(dá)到高壓側(cè)與電路板其他部分隔離的效果，等。但這種方法往往需要很大的電路板空間，因?yàn)楦邏弘娐吠ǔ２捎皿w積較大的引線型通孔插裝電容。 高壓電弧防護(hù)電容解決方案
為解決這一問(wèn)題，
Vishay推出了一系列的HVArc（高壓電弧）防護(hù)MLCC（多層貼片陶瓷電容），可防止電弧放電，同時(shí)節(jié)省空間。這些新器件在較高的電壓定額內(nèi)具有最大容量，并且提高了電壓擊穿的耐受能力。高壓電弧放電會(huì)造成斷路，并有可能損壞其他元器件。標(biāo)準(zhǔn)的高壓SMD電容最終將會(huì)失效短路，這取決于電弧放電的次數(shù)和存在問(wèn)題的部分。Vishay HVArc防護(hù)電容可以吸收所有的能量，因此，此電容能夠在高壓下進(jìn)行正常工作，至少在達(dá)到高壓擊穿極限之前，不會(huì)產(chǎn)生破壞性電弧放電。
信息來(lái)自：
鉭電容 陶瓷電容 二、三極管 晶體振蕩器
